半導体装置、エピタキシャル膜の製造方法、およびレーザアブレーション装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001338408
Publication number (International publication number)：2003142479
Application date： Nov. 02, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】利得結合型DFBレ-ザダイオ-ドにおいて、利得領域と埋込領域との間の屈折率差を最小化し、利得結合係数を最大化し屈折率結合係数を最小化する。【解決手段】埋込領域を、第1のバンドギャップを有する第1の半導体材料よりなる複数の高屈折率層と、第2のより大きなバンドギャップを有する第2の半導体材料よりなる複数の高屈折率層の積層により形成する。

Claim (excerpt)：

Si単結晶基板と、前記Si単結晶基板上に、基板表面に接した状態でエピタキシャルに形成された、ペロブスカイト構造を有する単結晶酸化物薄膜とよりなる半導体装置において、前記単結晶酸化物薄膜は、Siに対する反応性を有する2価の金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (10)：

H01L 21/316 , B23K 26/12 , C23C 14/28 , C30B 23/08 , C30B 29/32 , H01L 21/31 , H01L 21/8247 , H01L 27/105 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (8)：

H01L 21/316 B , B23K 26/12 , C23C 14/28 , C30B 23/08 Z , C30B 29/32 C , H01L 21/31 A , H01L 27/10 444 A , H01L 29/78 371

F-Term (43)：

4E068CJ09 , 4E068DA10 , 4G077AA03 , 4G077BC42 , 4G077DA03 , 4G077EE06 , 4G077EG15 , 4K029AA06 , 4K029BA01 , 4K029BA17 , 4K029BA43 , 4K029BA48 , 4K029BA50 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029DB20 , 5F045AB31 , 5F045AC11 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045DC63 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF80 , 5F058BJ01 , 5F083FR06 , 5F083GA27 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083PR22 , 5F083PR25 , 5F101BA62 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BH11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-213906 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
四面体の半導体に次層を形成するための緩衝層としてのエピタキシャル酸化マグネシウム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-310399 Applicant：ゼロックスコーポレイション
薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-193133 Applicant：日本電信電話株式会社

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