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J-GLOBAL ID：200903031131898094

AlGaInP半導体レーザ素子

Inventor： 小林 健一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993020245
Publication number (International publication number)：1994237038
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】AlGaInP半導体レーザを高温動作させたときの発振しきい値の上昇を少なく押えることを目的とする。【構成】pーAlGaInPクラッド層4中であって、活性層1に隣接する位置に、AlGaInP多層薄膜構造2を配置する。この多層薄膜構造2を構成しているAlGaInP層のうちAl組成の小さい層に引っ張り歪を導入し、活性層1へのZn拡散抑制層としての機能を持たせ、Pクラッド層4中のZnアクセプタ濃度の特性悪化発生上限濃度を高め、その上限近くアクセプタ濃度を高め、キャリアオーバフローを抑制し、高温動作時のしきい値上昇を押える。

Claim (excerpt)：

Al組成を異にする(Alx Ga1-x )Z In1-z P層と(Aly Ga1-y )q In1-q P層(y≧x)とが交互に積層された多層薄膜構造を、活性層を両側より挟み込むクラッド層のうちp型の導電型を有するAlGaInPクラッド層中に前記活性層に隣接して有し、前記多層薄膜構造をなす2つのAlGaInP層のうちAl組成の小さい(Alx Ga1-x )z In1-z P層に引っ張り歪が加わる値に前記(Alx Ga1-x)z In1-z P層におけるAlx Ga1-x の組成比zが選ばれていることを特徴とするAlGaInP半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-158841   Applicant：住友電気工業株式会社