Pat

J-GLOBAL ID：200903032129563952

半導体レーザ

Inventor： 吉田 伊知朗
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991158841
Publication number (International publication number)：1993003367
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高温時の特性劣化が生じない半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 本発明の半導体レーザは、活性層2とp側クラッド層4との間に多重量子障壁5が設けられており、多重量子障壁5の少なくとも一つの障壁層6に引っ張り応力が加わる材料が用いられると共に、多重量子障壁5の障壁層間に設けられた井戸層7の少なくとも一つに圧縮応力が加わる材料が用いられることにより多重量子障壁5の平均の格子定数が基板の格子定数と整合している。障壁層6に引っ張り応力が加わる材料を用いることにより、そのバンドギャップを十分に高くとることができる。そのため、比較的高温の環境下に置かれてもキャリア、特に電子が活性層からクラッド層へ溢れ出ることを防止でき、特性の劣化が生じない。

Claim (excerpt)：

活性層とp側クラッド層との間に電子に対する障壁が設けられている半導体レーザにおいて、前記障壁に引っ張り応力が加わる材料が用いられれている半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-218994
  
• 量子バリア半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-320977   Applicant：古河電気工業株式会社
• 特開平1-264287