フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高月亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994069113
Publication number (International publication number)：1995175204
Application date： Mar. 14, 1994
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】多数のマスク条件パラメータについても相関関係を見い出せ、これらにより最適条件を求められ、実際との乖離も小さく、性能の定量的な把握が可能で、時間とコストの低減も図り得、マスクパターンサイズのばらつきなどの影響も考慮できるフォトマスク、その製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】デフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度II、露光量裕度Iのいずれか1つを、あらかじめ設定した他の2つI,IIの範囲内の複数個のデータで組み合わせて、許容される該他の裕度1つの範囲III を求めることによりその最適値を決定する。

Claim (excerpt)：

フォトリソグラフィー工程に用いられ、光透過領域と遮光領域を有するフォトマスクにおいて、あらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内の複数個のデフォーカス、マスクパターンサイズの値の組み合わせを設定し、更に露光量を変化させて、得られる転写パターンを求め、該パターンが設計時における許容条件を満たすか否かを判定し、これより前記においてあらかじめ設定したデフォーカス裕度、マスクパターンサイズ裕度の範囲内全てにおいて許容条件を満たす露光量の範囲である露光量裕度を求め、更にマスクパラメータが、前記求められた露光量裕度を最大にする構成で設定されていることを特徴とするフォトマスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

フォトマスク及び露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-073121 Applicant：株式会社ニコン
特開平2-046462

Cited by examiner (2)

フォトマスク及び露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-073121 Applicant：株式会社ニコン
特開平2-046462

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