3-5族化合物半導体素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997073718
Publication number (International publication number)：1998189480
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】後処理工程の不要な表面ダメージのない3-5族化合物半導体のn層を露出させることができ、しかもエッチング速度が大きく、繰り返し安定性の優れたエッチング方法を用いた3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】湿式エッチング剤として、(1)PO4を分子中に含む酸、もしくはSO4を分子中に含む酸、もしくはPO4を分子中に含む酸とSO4を分子中に含む酸とを混合した酸、または(2)PO4、PO3、PO2、P2O7、P2O6もしくはP4O13を分子式中に含む化合物の溶融塩、または(3)SO4、SO3、S2O4、S2O3、S2O7、S2O8もしくはSO8を分子式中に含む化合物の溶融塩、または(4)前記(2)の中の少なくとも1つの化合物と(3)の中の少なくとも1つの化合物との混合物の溶融塩、または(5)溶融水酸化カリウム、溶融水酸化ナトリウムもしくは両者の混合溶融アルカリを用いる3-5族化合物半導体素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

一般式InxGayAlzN(式中、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体薄膜の積層構造を有し、かつ該積層構造の内部の層の露出部分において少なくとも1つの電極との接触をとる構造を有する3-5族化合物半導体素子の製造方法において、該露出部分を湿式エッチング法で形成する工程を有し、かつ該湿式エッチングに用いる湿式エッチング剤として、(1)PO4を分子中に含む酸、もしくはSO4を分子中に含む酸、もしくはPO4を分子中に含む酸とSO4を分子中に含む酸とを混合した酸、または(2)PO4、PO3、PO2、P2O7、P2O6もしくはP4O13を分子式中に含む化合物の溶融塩、または(3)SO4、SO3、S2O4、S2O3、S2O7、S2O8もしくはSO8を分子式中に含む化合物の溶融塩、または(4)前記(2)の中の少なくとも1つの化合物と(3)の中の少なくとも1つの化合物との混合物の溶融塩、または(5)溶融水酸化カリウム、溶融水酸化ナトリウムもしくは両者の混合溶融アルカリを用いることを特徴とする3-5族化合物半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/308 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/28 301 H , H01L 21/308 C , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平3-252174
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-076663 Applicant：株式会社東芝

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