銅の化学機械研磨用水系分散体

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小島清路
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999190799
Publication number (International publication number)：2001020087
Application date： Jul. 05, 1999
Publication date： Jan. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】銅の化学機械研磨に用いられ、安定性に優れ、研磨速度が大きく、且つスクラッチ等の発生が少ない、半導体装置の製造において有用な水系分散体を提供する。【解決手段】炭酸水素イオン及び/又は炭酸イオン、クエン酸イオン、シリカ粒子並びに過酸化水素及び/又は過酸化水素イオンを含有し、pH3〜10の範囲において、銅の化学機械研磨に有用な水系分散体を得る。クエン酸イオンは、クエン酸アンモニウム等より生成させることができる。シリカ粒子としては、ヒュームド法シリカ等を用いることができる。炭酸水素イオン及び/又は炭酸イオンの濃度は0.0002〜0.02モル/リットル、クエン酸イオンの濃度は0.0002〜0.5モル/リットル、シリカ粒子の含有量はは0.3〜15重量%、及び過酸化水素の含有量は0.01〜5重量%とすることが好ましい。

Claim (excerpt)：

炭酸水素イオン及び/又は炭酸イオン、クエン酸イオン、シリカ粒子並びに過酸化水素及び/又は過酸化水素イオンを含有し、pHが3〜10であることを特徴とする銅の化学機械研磨用水系分散体。

IPC (7)：

C23G 5/06 , B24B 37/00 , C01B 33/14 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , C09K 13/06 101 , H01L 21/304 622

FI (7)：

C23G 5/06 , B24B 37/00 H , C01B 33/14 , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z , C09K 13/06 101 , H01L 21/304 622 D

F-Term (28)：

3C058AA07 , 3C058CA04 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 4G072AA28 , 4G072BB05 , 4G072CC18 , 4G072EE01 , 4G072GG02 , 4G072HH17 , 4G072JJ11 , 4G072JJ34 , 4G072JJ41 , 4G072KK09 , 4G072KK17 , 4G072LL06 , 4G072MM02 , 4G072UU30 , 4K053PA02 , 4K053PA06 , 4K053RA13 , 4K053RA28 , 4K053RA45 , 4K053SA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

化学的機械研磨用研磨組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-223072 Applicant：昭和電工株式会社

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