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J-GLOBAL ID：200903031216556958

薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置

Inventor：
本田 達也

About 本田 達也


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004093513
Publication number (International publication number)：2005285843
Application date： Mar. 26, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：
【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な薄膜トランジスタ、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの作製方法は、凹部を有するゲート電極層を形成し、前記ゲート電極層上に凹部を有するゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を形成し、前記半導体層が有する前記凹部にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、前記組成物を除去し、前記マスクを用いて半導体層をパターニングすることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
凹部を有するゲート電極層を形成し、 前記ゲート電極層上に凹部を有するゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を形成し、 前記半導体層が有する前記凹部にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、 前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、 前記組成物を除去し、 前記マスクを用いて半導体層をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
IPC (9)：
H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H05B33/14
FI (8)：
H01L29/78 617K ,  H01L21/20 ,  H01L21/288 Z ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/88 B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 S
F-Term (191)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD24 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH09 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK10 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK33 ,  5F033LL04 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033MM20 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ86 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX14 ,  5F033XX34 ,  5F052AA11 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE24 ,  5F110EE27 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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