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J-GLOBAL ID：200903067805008965

膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体

Inventor：
橋本 貴志

About 橋本 貴志

, 
古沢 昌宏

About 古沢 昌宏


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 渡邊 隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001323701
Publication number (International publication number)：2003133691
Application date： Oct. 22, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】インクジェット法による膜パターンの形成方法を改善し、簡単な工程で効率よく厚膜化を達成し、細線化の要請も満たし、しかも、導電膜とした場合に断線や短絡等の問題を生じない膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】第1吐出工程では、液滴を配線形成領域全体に前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する。第2吐出工程では、前記液滴を前記配線形成領域全体の前記第1吐出工程における吐出位置と異なる位置に前記第1吐出工程と同じピッチで吐出する。第3吐出工程では、前記液滴を配線形成領域全体に前記第1吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出する。前記基板は、予め前記液滴との接触角が60[deg]以上となるように処理をしておく。
Claim (excerpt)：
膜形成成分を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、複数の液滴を、前記膜形成領域全体に、前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第1吐出工程と、複数の液滴を、前記膜形成領域全体の前記第1吐出工程における吐出位置と異なる位置に、前記基板上に着弾した後の前記液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第2吐出工程とを有することを特徴とする膜パターンの形成方法。
IPC (2)：
H05K 3/10 ,  B41J 2/01
FI (2)：
H05K 3/10 D ,  B41J 3/04 101 Z
F-Term (29)：
2C056FA15 ,  2C056FB02 ,  2C056FB04 ,  2C056FB05 ,  2C056FB10 ,  2C056FD10 ,  2C056HA46 ,  5E343AA12 ,  5E343AA18 ,  5E343AA22 ,  5E343AA26 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB72 ,  5E343CC25 ,  5E343CC26 ,  5E343DD15 ,  5E343DD18 ,  5E343EE36 ,  5E343EE37 ,  5E343ER33 ,  5E343ER35 ,  5E343ER44 ,  5E343ER45 ,  5E343FF05 ,  5E343GG08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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