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J-GLOBAL ID：200903031217420006

基板保持具、半導体製造装置、結晶成長方法及び半導体製造方法

Inventor： 大塚 信之 ,  鬼頭 雅弘 ,  石野 正人 ,  松井 康
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996109133
Publication number (International publication number)：1997298232
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 結晶成長工程の処理回数にかかわらず結晶成長温度が一定となるようにし、また、結晶成長用基板の基板温度を正確に測定できるようにする。【解決手段】 基板ホルダー10Aは、モリブデン等の高融点金属からなり、半導体結晶の結晶成長用基板を保持する領域である基板保持部11と、該基板を保持しない領域である基板非保持部12とにより構成されている。基板非保持部12の上面は結晶成長用基板の結晶格子との格子不整合率が10%以内である多結晶基板により覆われている。

Claim (excerpt)：

半導体の結晶成長用基板を保持する基板保持具であって、基板を保持する領域である基板保持部と、基板を保持しない領域である基板非保持部とを有し、前記基板非保持部の上面は、前記結晶成長用基板の結晶格子との格子不整合率が10%以内である結晶基板により覆われていることを特徴とする基板保持具。

IPC (6)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/12

FI (6)：

H01L 21/68 N ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-335723   Applicant：松下電器産業株式会社
• 連続鋳造用鋳型
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-107258   Applicant：新日本製鐵株式会社