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J-GLOBAL ID：200903031257822271

クーロンブロッケイド素子とその製造方法

Inventor： 高橋 庸夫 ,  藤原 聡 ,  永瀬 雅夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995275544
Publication number (International publication number)：1997135018
Application date： Oct. 24, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高い温度でクーロンブロッケイド現象が現れる素子を実現する。【解決手段】 酸化膜5をパターン加工し、シリコン層4を酸化膜5を加工マスクにしてエッチングする。シリコン層4が、細線部10と細線部10よりも幅の広い第1の電極部11及び第2の電極部12とを有する形状に加工される。この構造を熱酸化すると、電極部11、12のシリコン層4の膜厚が細線部10の近傍で細線部10よりも薄くなる。これにより、細線部10の両端に細線部よりエネルギーの高いポテンシャル障壁が形成され、細線部10に電荷を閉じ込めることができるので、高い温度で動作するクーロンブロッケイド素子を実現できる。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上にシリコン層が形成された基板上において、前記シリコン層が、電荷を閉じ込めるための伝導体島となる細線部と、この細線部の両端に接続するように形成された、細線部より幅が広く細線部近傍の膜厚が細線部よりも薄い第1、第2の電極部とを有することを特徴とするクーロンブロッケイド素子。

IPC (4)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 49/00

FI (4)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/78 301 J