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J-GLOBAL ID：200903031307158890

真空バルブ

Inventor： 奥富 功 ,  本間 三孝 ,  関 経世 ,  山本 敦史 ,  草野 貴史 ,  染井 宏通
Applicant, Patent owner： 芝府エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997235699
Publication number (International publication number)：1999073830
Application date： Sep. 01, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 接触抵抗特性と遮断特性に優れ安定した真空バルブを提供する。【解決手段】 真空バルブの接点素材を、Cu等の高導電性成分と、Crよりなり、粒子径が0.1〜150μmの範囲にある粒子が少なくとも90容積%を占める耐弧性成分とからなるものとし、かつ、その接点素材の900°Cの時の熱膨張率値α900 と50°Cの時の熱膨張率値α50との差の、900°Cの時の熱膨張率値α900 に対する比率[(α900 -α50)×100/(α900 )]を、0.8%以上12%以下のものとする。このことにより、ロウ付け工程を経た後にCr粒子とCuマトリックスとの界面に生成する溝の生成を抑制し、静耐圧特性、接触抵抗特性の安定化、遮断特性の安定化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

Cu,Agの少なくとも1種よりなる高導電性成分と、Crよりなり、粒子径が0.1〜150μmの範囲にある粒子が、粒子全体の少なくとも90容積%を占める耐弧性成分とからなる接点素材を備えた真空バルブに於いて、前記接点素材は、900°Cの時の熱膨張率値α900 と50°Cの時の熱膨張率値α50との差の、900°Cの時の熱膨張率値α900 に対する比率[(α900 -α50)×100/(α900 )]が、0.8%以上12%以下であることを特徴とした真空バルブ。

IPC (5)：

H01H 1/02 ,  B22F 3/00 ,  C22C 5/06 ,  C22C 9/00 ,  C22C 1/04

FI (6)：

H01H 1/02 A ,  H01H 1/02 C ,  B22F 3/00 A ,  C22C 5/06 C ,  C22C 9/00 ,  C22C 1/04 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 真空遮断器用接点材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-020742   Applicant：芝府エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
• 特開平1-258330