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J-GLOBAL ID：200903031329587809

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 森 克己 ,  近藤 貴幸
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993096842
Publication number (International publication number)：1994291413
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 反射ミラーとオーミック電極との間の空間からの光の洩れを防止して高い利得を得ることができる面発光型半導体レーザ、およびこれを高い歩留りで製造する。【構成】 半導体基板102上に多層の半導体層を形成する行程、そのうちの少なくともクラッド層107をエッチングして柱状に形成する工程、その周囲に埋込み層109を形成する工程、素子表面に第一のマスク層116を形成し、ついでその表面にフォトレジストからなる第2のマスク部117を形成し、その後この第2のマスク部を介して前記第一のマスク層をオーバーエッチングし、前記117より小さい平面状を有する第1のマスク部116aを形成する工程、素子表面にオーミックコンタクトが得られる金属層を形成し、さらに少なくとも117を除去することによって、開口部120を有するオーミック電極118aを形成する工程、および、少なくとも前記120に誘電体多層膜からなる反射ミラー121を形成する工程を含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、反射率の異なる一対の反射ミラーとそれらの間の多層の半導体層とを有し、前記半導体層のうちの少なくともクラッド層が一本または複数本の柱状に形成されている光共振器と、柱状の前記半導体層の周囲に形成された埋込み層と、光出射用の開口部が形成されたオーミック電極と、を含み、前記一対の反射ミラーの一方は、前記光出射用の開口部内に形成された光射出ミラー部と、この光出射ミラー部に連続し少なくとも前記光出射ミラー部と前記オーミック電極との境界領域を覆うカバーミラー部とを含むことを特徴とする面発光型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 面発光型半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-049998   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特表平7-507183
  
• 半導体光反射層構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-078793   Applicant：日本電信電話株式会社