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J-GLOBAL ID：200903031385165402

光半導体封止用樹脂組成物

Inventor：
菅 克司

About 菅 克司


Applicant, Patent owner：
ナガセケムテックス株式会社

About ナガセケムテックス株式会社


Agent (1)： 古谷 信也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004075078
Publication number (International publication number)：2005263869
Application date： Mar. 16, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【課題】 紫外線にさらされても黄変せず、黄変による短寿命化を克服することができ、従来のエポキシ樹脂の代わりに使用することができて耐久性に優れ、紫外乃至青色光半導体素子に好適なトランスファー成形封止用組成物を提供する。【解決の手段】 エポキシ環を少なくとも2つ有するラダー構造体、又は籠型構造体、若しくはその部分開裂構造体(籠型構造からケイ素原子のうちの一部が欠けた構造や籠型構造の一部のケイ素-酸素結合が切断された構造のもの)の、官能基含有シルセスキオキサン、エポキシ樹脂、及び硬化剤からなりBステージ化されてなる光半導体封止用樹脂組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
エポキシ環を少なくとも2つ有するシルセスキオキサンからなりBステージ化されてなる光半導体封止用樹脂組成物。
IPC (3)：
C08G59/30 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (2)：
C08G59/30 ,  H01L23/30 R
F-Term (25)：
4J036AA05 ,  4J036AB17 ,  4J036AD07 ,  4J036AD08 ,  4J036AD21 ,  4J036AJ01 ,  4J036AJ02 ,  4J036AJ03 ,  4J036AJ05 ,  4J036AJ09 ,  4J036AJ21 ,  4J036DB21 ,  4J036DB22 ,  4J036DC06 ,  4J036DC10 ,  4J036DC40 ,  4J036DC46 ,  4J036GA02 ,  4J036GA04 ,  4J036HA02 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EC11 ,  4M109GA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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