Pat

J-GLOBAL ID：200903031391445875

光記録媒体及びその製造方法

Inventor： 八代 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  山田化学工業株式会社
Agent (1)： 池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995111230
Publication number (International publication number)：1996287514
Application date： Apr. 12, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【構成】 光吸収層が、フタロシアニン環のα位にオキシ(若しくはチオ)フェニル系基及びチオフェニル系基を有する特定の金属フタロシアニン系化合物(1)と、置換又は環状化されていてもよいアミノ化合物、イミノ化合物及びアゾ化合物から選ばれた窒素含有化合物(2)との配位結合体を、主成分としてなる光記録媒体、並びに基体上に光吸収層を塗布成膜手段により形成させ、且つその上に光反射層を真空成膜手段により形成させるその製造方法。【効果】 本記録媒体は信号特性に優れ、再生エラーが発生しにくく、且つ耐光性に優れている。また、本製造方法によると、本発明の光記録媒体を容易に安定し得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも光吸収層を設けてなる光記録媒体において、該光吸収層が下記一般式(I)で表わされる金属フタロシアニン系化合物(1)と、置換又は環状化されていてもよいアミノ化合物、イミノ化合物及びアゾ化合物から選ばれた窒素含有化合物(2)との配位結合体を、主成分として構成されていることを特徴とする光記録媒体。【化1】(式中、M及びA1〜A8は、それぞれ以下のものを表わす。M:Mn2+、Fe2+、Co2+、Zn2+及びCd2+から選ばれた少なくとも一つの金属イオン。A1とA2、A3とA4、A5とA6及びA7とA8:それぞれのどちらか一方は下記一般式(II)で表わされるオキシ(若しくはチオ)フェニル系基又は下記一般式(III)で表わされるチオフェニル系基、他方は水素原子。但し、A1〜A8のうち少なくとも一つは下記一般式(II)で表わされるオキシ(若しくはチオ)フェニル系基及び下記一般式(III)で表わされるチオフェニル系基である。一般式(II):【化2】一般式(III):【化3】Q:O又はS原子。R1〜R5:少なくとも一つはC数4〜10の直鎖若しくは分岐のアルコキシ基、他はそれぞれ独立にC数1〜10の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、C数1〜3のアルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子。R6〜R10:それぞれ独立にC数1〜10の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、C数1〜3のアルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子。)

IPC (2)：

G11B 7/24 516 ,  B41M 5/26

FI (2)：

G11B 7/24 516 ,  B41M 5/26 Y