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J-GLOBAL ID：200903031394140145

半導体基板および半導体装置の各製造方法

Inventor： 滝澤 律夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995270257
Publication number (International publication number)：1997115848
Application date： Oct. 18, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 効果的に結晶起因の欠陥や、不純物汚染等に関連した素子特性の改善をはかることができるシリコン半導体基板およびこれによる半導体装置を得ることのできるようにする。【解決手段】 熱中性子/高速中性子の存在比が、30より大で1,000未満である中性子照射炉を用いてシリコン単結晶体に中性子照射を行ってシリコン基板による半導体基板を得る。

Claim (excerpt)：

熱中性子/高速中性子の存在比が、30より大で1,000未満である中性子照射炉を用いてシリコン単結晶体に中性子照射を行ってシリコン基板を得ることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/261 ,  C30B 29/06 ,  C30B 31/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/148

FI (5)：

H01L 21/26 N ,  C30B 29/06 B ,  C30B 31/20 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 27/14 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• シリコンウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-232480   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 特開昭56-080139
  
• 特開昭62-112364