半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999221427
Publication number (International publication number)：2000114474
Application date： Aug. 04, 1999
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】電気的特性や信頼性等に優れたスタック型DRAMのキャパシタを得る。【解決手段】 MISトランジスタのソース又はドレインの一方にプラグを介して接続された下部電極76と、下部電極上に形成されたキャパシタ絶縁膜77と、キャパシタ絶縁膜上に形成された上部電極78とからなる電荷保持用のキャパシタを有する半導体装置であって、下部電極76は、プラグ73が埋め込まれた穴内に埋め込まれプラグに対して自己整合的に形成された第1の構成部と、第1の構成部上及び第1の構成部の外側の領域上に形成され断面の面積が第1の構成部の断面の面積よりも広い第2の構成部とからなり、第1の構成部及び第2の構成部は連続膜によって一体に形成されている。

Claim (excerpt)：

MISトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された下部電極と、前記下部電極の上面及び側面上に形成されたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上に形成された上部電極とからなる電荷保持用のキャパシタを有する半導体装置であって、前記下部電極の側面は上方から下方に向かって徐々に広がるように形成されており、前記下部電極の底部近傍の側面は前記キャパシタ絶縁膜とは異なる絶縁膜に接していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-023473 Applicant：株式会社日立製作所
容量素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-078658 Applicant：株式会社リコー
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053219 Applicant：株式会社東芝

Return to Previous Page