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J-GLOBAL ID：200903031525649820

ウエハ及びその製造方法

Inventor： 小高 文雄 ,  熊谷 祥 ,  篠ヶ谷 利和
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (1)： 廣田 浩一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001079557
Publication number (International publication number)：2002280316
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 耐熱衝撃性を向上させ、熱衝撃によるクラックの発生がない高品質なウエハ、及び該ウエハを効率よく製造し得る方法の提供。【解決手段】 ウエハ状に切断した炭化ケイ素焼結体に対しベーキング処理を行うウエハの製造方法である。前記ベーキング処理の温度が1350°C以上である態様、前記ベーキング処理の温度が1400〜1550°C、前記ベーキング処理の圧力が10-4Torr以下である各態様などが好ましい。前記ウエハの製造方法により製造されるウエハである。前記曲げ強さ試験法(JIS 1601)により測定した曲げ強度が700MPa以上、前記全部分における元素組成比がSi/C=0.48/0.52〜0.52/0.48、前記密度が2.9g/cm3以上である各態様などが好ましい

Claim (excerpt)：

ウエハ状に切断した炭化ケイ素焼結体に対しベーキング処理を行うことを特徴とするウエハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/22 501 ,  C04B 35/565

FI (2)：

H01L 21/22 501 F ,  C04B 35/56 101 X

F-Term (16)：

4G001BA22 ,  4G001BA77 ,  4G001BA78 ,  4G001BB22 ,  4G001BC42 ,  4G001BC51 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC62 ,  4G001BC71 ,  4G001BC73 ,  4G001BD03 ,  4G001BD14 ,  4G001BD38 ,  4G001BE33 ,  4G001BE35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 炭化ケイ素構造体の製造方法および該製造方法による炭化ケイ素構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-231574   Applicant：株式会社ブリヂストン
• 特開昭62-078176
  
• 特開昭62-078178