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J-GLOBAL ID：200903031538722993
半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997239497
Publication number (International publication number)：1999087834
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ドットに直接加わる圧縮応力を低減し、1.3μm以上の長波長で発振する半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板と格子整合しない半導体材料からなるドット状結晶を活性領域に持つ半導体レーザにおいて、前記半導体基板1とドット状結晶5との間の格子定数を持つ半導体材料でドット状結晶5を埋め込んだ構造を有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板と格子整合しない半導体材料からなるドット状結晶を活性領域に持つ半導体レーザにおいて、前記半導体基板とドット状結晶との間の格子定数を持つ半導体材料でドット状結晶を埋め込んだ構造を有することを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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