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J-GLOBAL ID：200903031548500719

絶縁体薄膜およびその製造方法

Inventor： 田中 淳 ,  中谷 喜紀
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997346278
Publication number (International publication number)：1999172490
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 樹脂基板または樹脂フィルム上に、緻密で薬品等に対する耐性が強く、コーティング性能に優れ、しかも低温形成可能な絶縁体薄膜を提供する。【解決手段】 樹脂基板もしくは樹脂フィルム上に、金属薄膜を形成する工程と、該薄膜を陽極酸化法により絶縁体薄膜とする工程とを含む絶縁体薄膜の製造方法において、前記金属薄膜の形状を加工することなく、かつ、酸化のために接続された電極近傍を除くすべての金属薄膜を、金属部分を残すことなく陽極酸化して形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

樹脂基板もしくは樹脂フィルム上に、金属薄膜を形成する工程と、該薄膜を陽極酸化法により絶縁体薄膜とする工程とを含む絶縁体薄膜の製造方法において、前記金属薄膜の形状を加工することなく、かつ、酸化のために接続された電極近傍を除くすべての金属薄膜を、金属部分を残すことなく陽極酸化して形成することを特徴とする絶縁体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C25D 11/00 308 ,  G02F 1/1333 505

FI (2)：

C25D 11/00 308 ,  G02F 1/1333 505

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-077317
  
• 陽極酸化装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-323837   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 特開昭52-040445
  
• 特開昭50-066448