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J-GLOBAL ID：200903031613983536

電磁環境解析方法、電磁環境解析プログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体

Inventor： 井上 浩 ,  春日 貴志 ,  田中 元志
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 橋爪 健
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002197574
Publication number (International publication number)：2004038774
Application date： Jul. 05, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】大規模なFDTDシミュレーションを簡略化し、計算時間やメモリを削減する。【解決手段】本実施の形態は、セルサイズの異なる独立したFDTD解析を複数回行うことで、広範囲の計算、もしくは非常に微細なモデルの電磁界解析を行う方法である。例えば、この図に示す二つの解析空間による計算法の場合、セルサイズの小さい内部解析空間20(Internal Analysis Space:IAS)で計算した変換面S上での電磁界を一時保存し、セルサイズの大きい外部解析空間30(External Analysis Space:EAS)に与え、さらに遠方界を計算する。IAS20内には、電磁界の発生源10が含まれる。発生源10としては、例えば、ダイポール、点電荷等の各種のものを与えることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

マクスウェルの電磁界方程式を空間と時間領域で差分化することで数値計算によって電磁界を解析する有限差分時間領域法(FDTD法)を用いた電磁環境解析方法であって、 処理部は、電磁界の発生源が含まれる第1のセルサイズで分割された内部解析空間(IAS)で電磁界をFDTD法により第1の時間ステップで計算し、計算された内部解析空間の電磁界と、第1のセルサイズのRA倍(RAは2以上の整数)の第2のセルサイズで分割された外部解析空間(EAS)との変換面上での電磁界とを記憶部に保存する内部解析ステップと、 処理部は、変換面での電磁界を記憶部から読み込み、外部解析空間で電磁界をFDTD法により、第1の時間ステップのRA倍の第2の時間ステップで計算し、計算された外部解析空間の電磁界を記憶部に記憶する外部解析ステップと、 を含み、さらに、 (1)前記内部解析ステップは、 処理部は、第1の時間ステップにより、電気的特性が均一な空間又は散乱体・アンテナなどの放射源を含む空間における電界の計算を行い、計算結果を配列として記憶部の第1の電界ファイルに記憶するステップと、 処理部は、モデルに印加される信号を、予め数式又は実測データを用いてそれが記憶されている記憶部の信号ファイルから読取り、電界として設定するステップと、 処理部は、計算時刻が前記外部解析ステップの電界計算のタイミングである第2の時間ステップの整数倍であれば、処理部は、変換面上の電界を記憶部の変換面電界ファイルに記憶するステップと、 処理部は、空間の最外壁境界面での電磁波が反射しないような吸収境界条件を計算し、第1の電界ファイルに記憶された内部解析空間の吸収境界面上の電界を書き換えるステップと、 処理部は、第1の電界と磁界ファイルに記憶された電界と磁界データを読取り、磁界の計算を行い、計算結果を配列として記憶部の第1の磁界ファイルに記憶するステップと、 処理部は、計算時刻が第2の時間ステップの(nEAS+1/2)倍であれば、変換面上の磁界を記憶部の第1の変換面磁界ファイルに記憶するステップと、 処理部は、空間の最外壁境界面での電磁波が反射しないような吸収境界条件を計算し、第1の磁界ファイルに記憶された吸収境界面上の磁界を書き換えるステップと、 を含み、 (2)前記外部解析ステップは、 処理部は、第2の時間ステップにより、電気的特性が均一な空間における電界の計算を行い、計算結果を配列として記憶部の第2の電界ファイルに記憶するステップと、 処理部は、変換面上の電界を変換面電界ファイルから読取り、第2の電界ファイルに記憶された変換面上の電界を書き換えるステップと、 処理部は、空間の最外壁境界面での電磁波が反射しないような吸収境界条件を計算し、第2の電界ファイルに記憶された吸収境界面上の電界を書き換えるステップと、 処理部は、第2の電界と磁界ファイルに記憶された電界と磁界データを読取り、その電磁界データとパラメータ及び/又はその他のデータとに基づき、磁界の計算を行い、計算結果を配列として記憶部の第2の磁界ファイルに記憶するステップと、 処理部は、変換面上の磁界を変換面磁界ファイルから読取り、第2の電界ファイルに記憶された変換面上の磁界を書き換えるステップと、 処理部は、空間の最外壁境界面での電磁波が反射しないような吸収境界条件を計算し、第2の磁界ファイルに記憶された吸収境界面上の磁界を書き換えるステップと を含む電磁環境解析方法。

IPC (2)：

G06F17/13 ,  G01R29/08

FI (2)：

G06F17/13 ,  G01R29/08 Z

F-Term (4)：

5B056BB03 ,  5B056BB36 ,  5B056BB42 ,  5B056HH07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電磁界解析方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-239856   Applicant：東洋通信機株式会社
• インクジェットヘッド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-050077   Applicant：日立工機株式会社