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J-GLOBAL ID：200903031640368428

ポリッシング方法及び装置

Inventor： 森 勇蔵 ,  木村 憲雄 ,  白樫 充彦 ,  當間 康 ,  福永 明
Applicant, Patent owner： 森 勇蔵 ,  株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998234995
Publication number (International publication number)：2000052235
Application date： Aug. 06, 1998
Publication date： Feb. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ケミカルの使用を抑制しつつ、研磨後のウエハの洗浄や排液処理の負荷を減少させ、かつ効率的に研磨を行なう方法及び装置を提供する。【解決手段】 被研磨材Wの被研磨面と研磨部材の研磨面の間に超純水を供給しつつ、被研磨面の近傍に所定の電界を形成して水中のOH-イオン又はH+イオンを前記被研磨面の近傍に偏在させながら被研磨面と研磨面を互いに摺動させることにより、前記被研磨面を化学機械的に研磨する。

Claim (excerpt)：

被研磨材の被研磨面と研磨部材の研磨面の間に超純水を供給しつつ、前記被研磨面の近傍に所定の電界を形成して水中のOH-イオン又はH+イオンを前記被研磨面の近傍に偏在させながら前記被研磨面と前記研磨面を互いに摺動させることにより、前記被研磨面を化学機械的に研磨することを特徴とするポリッシング方法。

IPC (2)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (2)：

B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 C

F-Term (8)：

3C058AA07 ,  3C058AA11 ,  3C058AB04 ,  3C058AC04 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-006879   Applicant：ソニー株式会社
• 超純水中の水酸基による加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-212517   Applicant：森勇藏

Cited by examiner (2)

• 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-006879   Applicant：ソニー株式会社
• 超純水中の水酸基による加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-212517   Applicant：森勇藏