固体撮像装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070801
Publication number (International publication number)：1999274450
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】CMOS型固体撮像装置に於いて、低電圧でフォトダイオードの信号電荷を読み出すこと。【解決手段】第1導電型のPウェル11内部に、光電変換するための第2導電型のフォトダイオードn領域12が形成され、このフォトダイオードn領域12に一端が隣接してゲート電極15が形成され、このゲート電極15の他端に隣接して第2導電型のドレイン領域22が形成されている。そして、上記フォトダイオードn領域12の表面部には、上記ゲート電極の15一端から所定距離離間して第1導電型の第1の濃度を有するフォトダイオードp++領域13と、その一端がゲート電極15の一端に近接して他端がフォトダイオードp++領域13に接して第1導電型の第2の濃度を有したフォトダイオードp+ 領域18が形成される。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上若しくはウェル内部に、光電変換するための複数の上記第1導電型とは反対の第2導電型のフォトダイオード領域と、このフォトダイオード領域に一端が隣接して形成されたゲート電極部と、このゲート電極の他端に隣接して形成された第2導電型のドレイン領域とを有する固体撮像装置に於いて、上記第2導電型のフォトダイオード領域の表面部で、上記ゲート電極の一端から所定距離離間して形成されるもので、第1導電型の第1の濃度を有した第1の領域と、上記第2導電型のフォトダイオード領域の表面部で、その一端が上記ゲート電極の一端に近接し、他端が上記第1の領域に接して形成されるもので、上記第1の領域とは濃度の異なる第1導電型の第2の濃度を有した第2の領域とを具備することを特徴とする固体撮像装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283070 Applicant：シャープ株式会社
固体撮像装置のフォトセンサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-055137 Applicant：ソニー株式会社
固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-236075 Applicant：株式会社日立製作所

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