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J-GLOBAL ID：200903031774920364

誘電体磁器組成物

Inventor： 柴田 将充
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995102338
Publication number (International publication number)：1996295559
Application date： Apr. 26, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 1160°C以下で焼成でき、1000以上の高誘電率でありながら、X8R特性を満足し、直流バイアス電圧を印加したときの静電容量の温度変化率が小さい、誘電体磁器組成物を提供することである。【構成】 一般式{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO3+aBi2O3+bNb2O5+cMaO+dMbO2+eMc(ただし、MaはMg,Ca,Znの中から選ばれる少なくとも1種類、MbはTi,Sn,Zrの中から選ばれる少なくとも1種類、Mcは希土類酸化物のうちのY,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Dy,Ho,Erの中から選ばれる少なくとも1種類、a,b,c,dおよびeはモル%、1.0≦a≦6.0,0.5≦b≦4.5,0≦c≦4.0,1.5≦d≦15.0,0.5≦e≦ 5.5)で表される主成分が97.5〜99.95重量%、SiO2を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%からなる。

Claim (excerpt)：

一般式、{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO3+aBi2O3+bNb2O5+cMaO+dMbO2+eMc(ただし、MaはMg,Ca,Znの中から選ばれる少なくとも1種類、MbはTi,Sn,Zrの中から選ばれる少なくとも1種類、Mcは希土類酸化物のうちのY,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Dy,Ho,Erの中から選ばれる少なくとも1種類、a,b,c,dおよびeはモル%)で表される主成分が97.5〜99.95重量%、ただし、前記一般式のa,b,c,dおよびeがそれぞれ次の範囲にある1.0≦a≦ 6.00.5≦b≦ 4.50 ≦c≦ 4.01.5≦d≦15.00.5≦e≦ 5.5SiO2を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%、からなる誘電体磁器組成物。

IPC (2)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303

FI (2)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 誘電体磁器組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-217519   Applicant：株式会社村田製作所
• 誘電体磁器組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-204627   Applicant：株式会社村田製作所