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J-GLOBAL ID：200903031791002581

薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子

Inventor： 田畑 仁 ,  川合 知二
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001136987
Publication number (International publication number)：2002334874
Application date： May. 08, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高品質の酸化亜鉛薄膜を低温で形成することができる薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子を提供する。【解決手段】 薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子において、基板1上に形成される高温バッファー層2と、この高温バッファー層2上に形成される低温薄膜3とを具備する。

Claim (excerpt)：

(a)基板上に高温バッファー層を形成する工程と、(b)該高温バッファー層上に低温での薄膜成長を行わせる工程とを施すことを特徴とする薄膜結晶の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/314 ,  C23C 14/28

FI (2)：

H01L 21/314 M ,  C23C 14/28

F-Term (13)：

4K029AA04 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BB07 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-078199
  
• 半導体発光素子、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-041888   Applicant：株式会社村田製作所