Pat
J-GLOBAL ID:200903031800130148
プレーナー型電磁リレー及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
笹島 富二雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993320525
Publication number (International publication number):1995176255
Application date: Dec. 20, 1993
Publication date: Jul. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】電磁リレーの薄型化及び小型化を図ることを目的とする。【構成】シリコン基板2に、平板状の可動板5と該可動板5を揺動可能に軸支するトーションバー6とを一体形成する。前記可動板5の上面周縁部に通電により磁界を発生する平面コイル7を設け、下面側に可動接点9を設ける。更に、シリコン基板2の上下面にガラス基板3,4を設け、下側ガラス基板3には、前記可動接点9と接触可能な固定接点11を設ける。更に、ガラス基板3,4の所定位置に、平面コイルに磁界を作用させる永久磁石13A,13B及び14A,14Bを固定する構成とする。また、この電磁リレーを半導体素子の製造プロセスによって製造する。
Claim (excerpt):
半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して基板上下方向に揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の上面周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設すると共に下面側に可動接点部を設ける一方、半導体基板の下面に前記可動板の接点部に対応する位置に固定接点部を設けた下側絶縁基板を設け、半導体基板の上面には少なくとも可動板上方を開放した上側絶縁基板を設け、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部に磁界を作用させる互いに対をなす永久磁石を前記上下絶縁基板に固定する構成としたことを特徴とするプレーナー型電磁リレー。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
シリコン超小形リレー
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-308238
Applicant:日本電気株式会社
-
電磁式リレー
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-273800
Applicant:シヤープ株式会社
-
静電リレー
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-153538
Applicant:松下電工株式会社
Return to Previous Page