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J-GLOBAL ID：200903031804968740

SOI高電圧スイッチ

Inventor：
イェネ ティハニ

About イェネ ティハニ


Applicant, Patent owner：
インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

About インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト


Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000527979
Publication number (International publication number)：2002501308
Application date： Dec. 07, 1998
Publication date： Jan. 15, 2002
Summary：
【要約】本発明は、FET構造を有するSOI高電圧スイッチであって、ゲート電極(6)とドレイン電極(7,D)との間に、ドレイン領域(2,3)において、一方の伝導型のドリフトゾーン(11)が設けられている、FET構造を有するSOI高電圧スイッチに関する。このドリフトゾーン(11)には柱状のトレンチ(8)が設けられており、このトレンチ(8)は別の伝導型の半導体材料(9,10)によって充填されている。
Claim (excerpt)：
FET構造を有するSOI高電圧スイッチであって、ゲート電極(6)とドレイン電極(7,D)との間に、ドレイン領域(2,3)において、一方の伝導型のドリフトゾーン(11)が設けられている、FET構造を有するSOI高電圧スイッチにおいて、 前記ドリフトゾーン(11)には柱状のトレンチ(8)が設けられており、該トレンチ(8)は別の伝導型の半導体材料(9,10)によって充填されていることを特徴とする、FET構造を有するSOI高電圧スイッチ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 655
FI (4)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 V
F-Term (7)：
5F110BB12 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
  • 高耐圧半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-188855   Applicant：株式会社東芝
  • 特開昭62-018768
  • 特開昭62-018768
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