高耐圧半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993188855
Publication number (International publication number)：1995130996
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】オン電圧が低く、耐圧が高い横型MOSFETを提供すること。【構成】p型シリコン基板1上に設けられたn型高抵抗半導体層2と、n型高抵抗半導体層2の表面に選択的に形成されたp型ウェル層3と、p型ウェル層3の表面に選択的に形成されたn型ソース層4と、n型高抵抗半導体層2の表面に選択的に形成されたn型ドレイン層5と、n型ドレイン層5に接するドレイン電極7と、p型ウェル層3およびn型ソース層4に接するソース電極6と、n型ソース層4とn型ドレイン層5とで挟まれたp型ウェル層3とn型高抵抗半導体層2との上に、ゲート絶縁膜8を介して設けられ、ソース電極6と接しないi型ポリシリコン層9と、i型ポリシリコン層9に接するゲート電極と、ゲート絶縁膜8上に設けれ、型ポリシリコン層9に接するn型半導体層11とドレイン電極7に接するp型半導体層12とからなるダイオードとを備えている。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板上に設けられた第2導電型高抵抗半導体層と、この第2導電型高抵抗半導体層の表面に選択的に形成された第1導電型半導体層と、この第1導電型半導体層の表面に選択的に形成された第2導電型ソース層と、前記第2導電型高抵抗半導体層の表面に選択的に形成された第2導電型ドレイン層と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型ソース層に接するソース電極と、前記第2導電型ドレイン層に接するドレイン電極と、前記第2導電型ソース層と前記第2導電型ドレイン層とで挟まれた前記第1導電型半導体層と前記第2導電型高抵抗半導体層との上に、ゲート絶縁膜を介して設けられ、前記ソース電極と接しないゲート半導体層と、前記第2導電型ソース層と前記第2導電型高抵抗半導体層とで挟まれた前記第1導電型半導体層上の前記ゲート半導体層に接するゲート電極と、前記ドレイン電極と前記ゲート電極との電位差に基づいて、オン時に前記ゲート半導体層と前記ドレイン電極とを電気的に分離するゲート半導体層制御手段とを具備してなることを特徴とする高耐圧半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開昭59-119864
特開昭63-312680
特開昭56-152269

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Cited by examiner (15)

特開昭59-119864
特開昭59-119864
特開昭64-046980

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