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J-GLOBAL ID：200903031849029930

SiC単結晶製造炉

Inventor：
坂元 秀光

About 坂元 秀光


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (3)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003115967
Publication number (International publication number)：2004323247
Application date： Apr. 21, 2003
Publication date： Nov. 18, 2004
Summary：
【課題】過剰な過飽和度を抑制して適正化することにより多結晶化を防止したSiC単結晶製造炉を提供する。【解決手段】黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面へ向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる炉において、該融液面の直上を黒鉛カバーおよびグラファイトカバーの少なくとも一方で覆って断熱したことを特徴とするSiC単結晶製造炉。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面へ向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる炉において、 該融液面の直上を黒鉛カバーおよびグラファイトカバーの少なくとも一方で覆って断熱したことを特徴とするSiC単結晶製造炉。
IPC (2)：
C30B29/36 ,  C30B19/00
FI (2)：
C30B29/36 A ,  C30B19/00 Z
F-Term (7)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077EG19 ,  4G077EG25 ,  4G077QA01 ,  4G077QA56
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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