半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137060
Publication number (International publication number)：1994349724
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】特に化学増幅系ポジ型レジストのレジストパターンのT型形状を解消し、矩形で精度の良いフォトレジストパターンを再現性よく形成する。【構成】化学増幅系ポジ型のフォトレジスト膜2をマスク4を用いて露光したのち、ブロード光により全面露光を行い多量の酸発生領域3Aを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に化学増幅系ポジ型のフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜を所望のパターンを有するマスクを用いて露光したのち前記フォトレジスト膜の全面を露光する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/38 511

FI (2)：

H01L 21/30 361 L , H01L 21/30 361 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭59-045493
特開昭57-112747
特開昭61-121436

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