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J-GLOBAL ID：200903031858288078

金属接合方法

Inventor：
三宅 敏広

About 三宅 敏広

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重松 浩一

About 重松 浩一

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真田 一也

About 真田 一也

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石原 秀晴

About 石原 秀晴


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999368006
Publication number (International publication number)：2001185843
Application date： Dec. 24, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】十分な接合強度が得られる金属接合方法を提供するを提供する。【解決手段】第1の回路基板10での配線の接続部C1を構成する金属と第2の回路基板20での配線の接続部C2を構成する金属との間に、C-H結合解離エネルギーが950kJ/mol以下の炭化水素化合物30を介在させた状態で、両基板の接続部C1,C2を向かい合わせて配置する。炭化水素化合物30を加熱することにより、炭化水素化合物30を熱分解させて炭化水素化合物30から水素が分離されたラジカルな状態とし、このラジカルな状態とされた炭化水素化合物によって金属の表面に形成された酸化膜12a,23aを還元しつつ、金属の溶融によって両基板の接続部C1,C2を構成する金属を接合する。
Claim (excerpt)：
第1の回路基板での配線の接続部(C1)と、第2の回路基板での配線の接続部(C2)とを接続するための方法であって、前記第1の回路基板での配線の接続部(C1)を構成する金属と第2の回路基板での配線の接続部(C2)を構成する金属との間に、C-H結合解離エネルギーが950kJ/mol以下の炭化水素化合物(30,70)を介在させた状態で、両基板の接続部(C1,C2)を向かい合わせて配置する工程と、前記炭化水素化合物(30,70)を加熱することにより、前記炭化水素化合物(30,70)を熱分解させて前記炭化水素化合物(30,70)から水素が分離されたラジカルな状態とし、このラジカルな状態とされた炭化水素化合物によって前記金属の表面に形成された酸化膜を還元しつつ、前記金属の溶融もしくは拡散によって両基板の接続部(C1,C2)を構成する金属を接合する工程と、を備えたことを特徴とする金属接合方法。
IPC (3)：
H05K 3/36 ,  B23K 1/00 330 ,  B23K 35/36
FI (3)：
H05K 3/36 B ,  B23K 1/00 330 E ,  B23K 35/36 Z
F-Term (7)：
4E084AA31 ,  4E084CA38 ,  5E344AA01 ,  5E344AA22 ,  5E344CC23 ,  5E344CD40 ,  5E344DD03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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