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J-GLOBAL ID：200903031972319390

低分子有機珪素化合物及び架橋性材料

Inventor：
ヘルベルト バルテル

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ヨハン シュースター

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リヒャルト ヴァイトナー

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ミヒャエル シュテップ

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フォルカー フライ

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Applicant, Patent owner：
ワツカー-ケミー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング

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Agent (1)： 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996305204
Publication number (International publication number)：1997202790
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 低分子有機珪素化合物、その製法並びに架橋性オルガノポリシロキサン材料中でのその使用。【解決手段】 一般式Iの単位からなる珪素2〜17個を有する低分子脂肪族不飽和有機珪素化合物、その製法並びに架橋性オルガノポリシロキサン材料、特に過酸化的にか又はヒドロシリル化により架橋可能な材料中でのその使用。RaR1b(OR2)cSiO4-(a+b+c)/2 (I)[Rは同一又は異なり水素又は置換/非置換の、SiC-結合の、C1〜18の脂肪族飽和炭化水素基を表わし、珪素1個当り1個以上のRは水素であってもよく、R1は同一又は異なりSiC-結合のC2-18の脂肪族不飽和炭化水素基、R2は同一又は異なり水素、酸素原子で中断されてもよい置換/非置換のC1〜18の炭化水素基、aは0〜3の整数、bは0〜3の整数、cは0〜3の整数であり、a+b+c≦3であり、1分子当り1個以上のR1が存在する]
Claim (excerpt)：
式: RaR1b(OR2)cSiO4-(a+b+c)/2 (I)[式中、Rは同一又は異なるものであってよく、水素原子又は置換又は非置換の、SiC-結合の、炭素原子1〜18個を有する脂肪族飽和炭化水素基を表わし、その際、珪素1個当たり少なくとも1個の基Rは、水素原子を表わすことができ、R1は同一又は異なるものであってよく、SiC-結合の、炭素原子2〜18個を有する脂肪族不飽和炭化水素基を表わし、R2は同一又は異なるものであってよく、水素原子又は、酸素原子で中断されていてよい、置換又は非置換の、炭素原子1〜18個を有する炭化水素基を表わし、aは0、1、2又は3であり、bは0、1、2又は3であり、cは0、1、2又は3であり、式(I)中のa、b及びcの合計は3より小さいか又は3であり、1分子当たり少なくとも1個の基R1が存在している]の単位から成る、珪素原子2〜17個を有する低分子有機珪素化合物において、これは、式: (R3SiO)d(R2R1SiO)e(OH)fSi (Ia)[式中、dは0、1、2又は3であり、eは1、2又は3であり、fは0、1又は2であり、d+e+fの合計は4である]の化合物及び式: [(R3SiO)g(R2R1SiO)h(OH)iSi]2O (Ib)[式中、gは同一又は異なるものであってよく、0、1、2又は3であり、hは同一又は異なるものであってよく、0、1、2又は3であり、iは同一又は異なるものであってよく、0、1又は2であり、各珪素原子1個のg+h+iの合計は3であり、1分子当たり少なくとも1個の基R1が存在している]の化合物から選択したようなものであることを特徴とする、低分子有機珪素化合物。
IPC (3)：
C07F 7/08 ,  C08G 77/20 NUG ,  C08L 83/05 LRN
FI (3)：
C07F 7/08 X ,  C08G 77/20 NUG ,  C08L 83/05 LRN
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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