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J-GLOBAL ID：200903031979971280

半導体装置の製造方法

Inventor：
伊藤 俊彦

About 伊藤 俊彦

, 
鈴木 孝直

About 鈴木 孝直


Applicant, Patent owner：
株式会社フジクラ

About 株式会社フジクラ


Agent (5)： 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  高橋 俊一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002361889
Publication number (International publication number)：2004193456
Application date： Dec. 13, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：
【課題】ウエハ上に樹脂製突部を形成する製造工程において、製造工程を削減し、作業コスト及び材料コストが抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】電極が設けられたウエハ上に絶縁層を形成し、この絶縁層で覆われた電極上を開口して露出させたこの電極から絶縁層上に形成された樹脂製突部までを導電性材料でパターニングし、このパターニングされた樹脂製突部上にはんだバンプを載置することでウエハに対して垂直方向に電極端子を形成する半導体装置の製造方法において、樹脂製突部を形成する工程は、液状の樹脂を細いノズルから吐出させて絶縁層上に直接堆積することで、絶縁層上の所定位置に樹脂製突部を形成することができるので、従来必要であった樹脂塗布工程、露光工程、現像工程、が不要となる。その結果、樹脂製突部の製造時間を短縮することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
電極が設けられたウエハ上に絶縁層を形成し、該絶縁層で覆われた前記電極上を開口して露出させる工程と、前記電極から離れた前記絶縁層上に樹脂製突部を形成する工程と、前記電極から前記樹脂製突部まで導電性材料をパターニングし、該パターニングされた樹脂製突部上にはんだバンプを載置して、該樹脂製突部の周囲を樹脂で封止する半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂製突部を形成する工程は、前記絶縁層上の任意の位置に、液状の樹脂を吐出して所定高さまで堆積後、熱処理して硬化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L21/3205 ,  H01L23/12
FI (2)：
H01L21/88 T ,  H01L23/12 501P
F-Term (23)：
5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK08 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX04 ,  5F033XX33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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