バンプ付き半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995006098
Publication number (International publication number)：1996195397
Application date： Jan. 19, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】バンプ付き半導体装置において、多数の大きなバンプを簡単な製造方法で作る。【構成】半導体の主面の電極部に、弾性率の小さい物質からなる凸状体と、その凸状体を覆う弾性率の大きい金属膜からなる複合バンプを設ける。特に、凸状体をポリイミド樹脂で形成し、Al-Si合金膜で覆う。電流容量の大きな半導体装置の広い電極には多数の複合バンプを形成する。また複合バンプの上に電極板を加圧接触することもできる。

Claim (excerpt)：

半導体の一方の主面の電極部に、弾性率の小さい物質からなる凸状体と、弾性率が大きく、膨張係数の近い金属膜でその凸状体を覆つた複合バンプを有することを特徴とするバンプ付き半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/321 , H01L 21/28 , H01L 21/60 301

FI (2)：

H01L 21/92 602 E , H01L 21/92 604 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

複合バンプ構造体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-149582 Applicant：財団法人工業技術研究院
特開平3-073535
特開平4-154285

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Cited by examiner (4)

複合バンプ構造体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-149582 Applicant：財団法人工業技術研究院
特開平3-073535
特開平4-154285

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