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J-GLOBAL ID：200903032004032238

プラズマ損傷からフォトダイオードを保護するCMOSイメージセンサの製造方法

Inventor：
チャ ハン ソブ

About チャ ハン ソブ


Applicant, Patent owner：
マグナチップセミコンダクター有限会社

About マグナチップセミコンダクター有限会社


Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007097666
Publication number (International publication number)：2007300084
Application date： Apr. 03, 2007
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：
【課題】暗電流の原因となるプラズマ損傷や感光膜除去工程による重金属汚染を防止することのできるCMOSイメージセンサのフォトダイオードの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のCMOSイメージセンサの製造方法は、所定の工程が完了した基板を用意するステップと、該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含む。【選択図】図2J
Claim (excerpt)：
所定の工程が完了した基板を用意するステップと、 該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック(blocking)層を形成するステップと、 該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、 前記マスクを除去するステップと を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。
IPC (2)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/306
FI (2)：
H01L27/14 A ,  H01L21/306 D
F-Term (14)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5F043AA33 ,  5F043BB22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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