光学装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001137739
Publication number (International publication number)：2002335032
Application date： May. 08, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体発光素子チップからの熱放散特性を向上することができる光学装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザチップLDなどの半導体発光素子チップ、サブマウントSMおよびヒートシンクHSが順に接合された構成の光学装置において、半導体発光素子チップLDが第1の融点を有する第1のハンダSJaによりサブマウントSMに接合されており、かつ、サブマウントSMが第1の融点よりも低い第2の融点を有する第2のハンダにSJbよりヒートシンクHSに接合されている構成とする。半導体発光素子チップLDを第1のハンダSJaによりサブマウントSMに接合した後、サブマウントSMを第2のハンダSJbによりヒートシンクHSに接合して形成する。

Claim (excerpt)：

半導体発光素子チップと、上記半導体発光素子チップが接合されたサブマウントと、上記サブマウントが接合されたヒートシンクとを有し、上記半導体発光素子チップが第1の融点を有する第1のハンダにより上記サブマウントに接合されており、上記サブマウントが上記第1の融点よりも低い第2の融点を有する第2のハンダにより上記ヒートシンクに接合されている光学装置。

IPC (2)：

H01S 5/022 , G11B 7/125

FI (2)：

H01S 5/022 , G11B 7/125 A

F-Term (18)：

5D119AA33 , 5D119AA36 , 5D119AA38 , 5D119BA01 , 5D119FA05 , 5D119FA28 , 5D119FA32 , 5D119NA04 , 5F073AB21 , 5F073AB25 , 5F073AB27 , 5F073BA04 , 5F073EA29 , 5F073FA02 , 5F073FA06 , 5F073FA13 , 5F073FA22 , 5F073FA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平3-195903
光半導体素子用サブマウントおよびそのマウント方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-331999 Applicant：株式会社東芝
特開昭58-077273

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