ウエハ検査装置

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998127467
Publication number (International publication number)：1999330186
Application date： May. 11, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体ウエハの高速で高分解能な外観検査と、異物や欠陥の存在部位からTEM観察や各種分析のための試料を高い位置精度で一貫して作製することのできる検査装置を提供すること。【解決手段】同一検査装置内に、ウエハ検査用の走査型電子顕微鏡部(SEM部)1と試料作製加工用のイオンビーム部101とを併設し、SEM部1によるウエハ7の外観検査と、この検査結果に基づいての、ウエハ7上の欠陥(異物やパターン欠陥)の存在部位からのTEM観察や各種分析のための試料の摘出加工作業とを、同一ステージ8上で一貫して行なえるようにした。【効果】ウエハの外観検査と試料作製加工とを同一ステージ上で一貫して行なうため、従来のようなウエハ搬送による位置精度低下が無くなり、高い位置精度で試料作製,欠陥修正等の加工ができる。

Claim (excerpt)：

電子発生装置,電子走査装置,電子収束装置,検出装置から構成される走査型電子顕微鏡部(SEM部)と、上記SEM部に対して相対的に二次元移動可能なステージと、上記SEM部からの二次電子信号を用いてSEM像を生成する画像生成装置と、上記SEM像を利用して上記ステージ上に載置した半導体ウエハ上に存在する欠陥(異物やパターン不良等)を検出して該欠陥存在位置情報(座標データ)を含んだ欠陥マップを生成する画像解析装置とを備えたウエハ検査装置において、上記半導体ウエハを上記ステージ上に載置したままの状態で上記半導体ウエハの特定部位を上記座標データに基づいて加工することの可能な加工部をさらに備えてなることを特徴とするウエハ検査装置。

IPC (5)：

H01L 21/66 , G01N 23/225 , H01J 37/20 , H01J 37/22 502 , H01J 37/30

FI (6)：

H01L 21/66 Z , H01L 21/66 J , G01N 23/225 , H01J 37/20 Z , H01J 37/22 502 A , H01J 37/30 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-211620
特開平2-015648
試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-210803 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page