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J-GLOBAL ID：200903032135694244
磁気記憶装置及びアドレッシング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999094165
Publication number (International publication number)：2000082283
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 磁性体の配列を記憶担体として有する磁気記憶装置において、微細化に伴うクロストークの発生や保磁力の低下といった、磁界利用書き込みに伴う問題を解消しつつ、集積回路素子には不可欠のアドレッシング機能を実現できるようにする。【解決手段】 二つの磁性層に結合制御層が挟まれた構造を用い、結合制御層を介して二つの磁性層間に働く交換相互作用を、書き込み又は読み出しの対象として選ばれた任意の記憶担体を指定して目的の動作を達成する手段として利用する。すなわち、任意の記憶担体を選択して書き込み又は読み出しを行う際に、上記結合制御層に電気的刺激や光刺激などの刺激を与えることにより生じる、二つの磁性層間の交換相互作用の変化を利用する。
Claim (excerpt)：
複数個の分離された磁性体の配列を記憶担体として有する磁気記憶装置であって、書き込み又は読み出しの対象として選ばれた任意の記憶担体を指定して目的の動作を達成する手段として、固体中を伝搬する交換相互作用を利用することを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (3)：
G11C 11/15
, H01L 27/10 451
, H01L 43/08
G11C 11/15
, H01L 27/10 451
, H01L 43/08 Z
Cited by examiner (1)
-
磁気素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-216984
Applicant：株式会社東芝
Article cited by the Patent：
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