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J-GLOBAL ID：200903032160993019

トランジスタの製造方法

Inventor：
黒田 英明

About 黒田 英明


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993164254
Publication number (International publication number)：1994350042
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、ソース領域側にポケット拡散層を形成することで、ドレイン領域端の濃度を高くすることなくショートチャネル効果の抑制を図る。【構成】 半導体基板11のトランジスタ形成領域12上にゲート絶縁膜14を介してゲート電極15を形成した後、ソース形成領域17上に開口部18を設けたイオン注入マスク16を形成してから、斜めイオン注入法によって、トランジスタ形成領域12と同導電型のものでかつソース形成領域17側の半導体基板11にポケット拡散層20を形成するための不純物91を導入し、その後、ソース,ドレイン領域22,23を形成するとともに、ソース領域22側のみにポケット拡散層20を形成する。また図示はしないが、半導体基板にゲート電極を形成した後、斜めイオン注入法によって、半導体基板にポケット拡散層を形成するための不純物を導入し、その後、通常のトランジスタの形成プロセスを行う。
Claim (excerpt)：
半導体基板のトランジスタ形成領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成した後、当該ゲート電極の両側におけるトランジスタ形成領域にソース,ドレイン領域を形成するトランジスタの製造方法において、前記ゲート電極を形成する工程を行い、続いて当該トランジスタ形成領域におけるソース形成領域上に開口部を設けたイオン注入マスクを当該トランジスタ形成領域上に形成した後、斜めイオン注入法によって、当該トランジスタ形成領域と同導電型のものでかつソース形成領域側のトランジスタ形成領域にポケット拡散層を形成する不純物を導入する工程を行い、その後、前記ソース,ドレイン領域を形成するとともに、ソース領域側のみに前記トランジスタ形成領域と同導電型のポケット拡散層を形成する工程を行うことを特徴とするトランジスタの製造方法。
IPC (4)：
H01L 27/092 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784
FI (4)：
H01L 27/08 321 C ,  H01L 21/265 V ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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