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J-GLOBAL ID：200903032182008308

放射線検出器の製造方法

Inventor：
畑中 義式

About 畑中 義式

, 
青木 徹

About 青木 徹


Applicant, Patent owner：
静岡大学長

About 静岡大学長


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999219860
Publication number (International publication number)：2001042097
Application date： Aug. 03, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 熱プロセス及び機械加工プロセスに極めて弱い化合物半導体の処理を、容易、かっ確実に行うことを可能にする放射線検出器を製造する方法を提供すること。【解決手段】 化合物半導体の表面に所定の導電型のドーパントを付着し、レーザー光を前記化合物半導体に照射することによって、前記ドーパントを前記化合物半導体にドーピングしたり、また、化合物半導体に真空雰囲気中で紫外線レーザー光を照射する事によって前記化合物半導体の素子分離、素子端面処理及び清浄化処理の一連のプロセスをレーザー光処理を用いることによって行う。
Claim (excerpt)：
化合物半導体の表面に所定の導電型の不純物を含む化合物を付着し、窒素又は不活性ガスの高圧雰囲気中でレーザー光を前記化合物半導体に照射することによって、前記不純物ドーパントを前記化合物半導体にドーピングし、次に、化合物半導体に真空雰囲気中でレーザー光を照射することによって前記化合物半導体の表面の清浄処理及び素子分離を同時に一連のプロセスとして行うことを特徴とする放射線検出器の製造方法。
IPC (2)：
G21K 5/00 ,  H01L 31/09
FI (2)：
G21K 5/00 Z ,  H01L 31/00 A
F-Term (6)：
5F088AA03 ,  5F088AB09 ,  5F088BA18 ,  5F088CB08 ,  5F088CB20 ,  5F088LA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (1)
  • 整形金属パターンの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-139311   Applicant：富士通株式会社, 住友重機械工業株式会社

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