Pat
J-GLOBAL ID：200903032202551321

半導体の不良解析用CADツール及び半導体の不良解析方法

Inventor：
濱村 有一

About 濱村 有一

, 
嶋瀬 朗

About 嶋瀬 朗


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001284362
Publication number (International publication number)：2003086689
Application date： Sep. 19, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】発光解析やOBIRCH解析で得られる異常な反応情報とレイアウトデータと照合して、欠陥箇所推定するためのCADツール及びそのCADツールを用いた不良解析方法において、半導体の故障箇所特定処理を、短時間で精度良く実行する。【解決手段】半導体装置を物理解析して得られた複数の異常な反応情報を収集し、これらの異常な反応情報の重複箇所を抽出し、CAD上のレイアウトデータと照合する。このレイアウトデータ上で照合して得られた、より故障の疑いのある配線や欠陥箇所を絞り込む。
Claim (excerpt)：
半導体装置に複数種の電圧設定パターンに基づく電圧を印加した場合に、物理解析装置により取得された前記パターン毎の反応情報の入力を受けるステップと、前記各々の反応情報を前記半導体装置のレイアウトパターン情報と照合し、前記反応情報の示す位置の範囲内に存在するトランジスタから配線経路を電圧印加位置方向に遡上することで各々の遡上配線を演算処理手段により抽出するステップと、各トランジスタに対応した前記遡上配線の経路が合致もしくは隣接している配線範囲を特定して表示手段に表示させるステップと、を実行させることを特徴とする半導体不良解析用のCADツール。
IPC (5)：
H01L 21/82 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/28 ,  G01R 31/302 ,  G01R 31/3183
FI (6)：
G01R 1/06 F ,  H01L 21/82 T ,  G01R 31/28 L ,  G01R 31/28 Q ,  G01R 31/28 F ,  H01L 21/82 C
F-Term (14)：
2G011AC04 ,  2G011AE03 ,  2G132AF14 ,  2G132AL09 ,  2G132AL12 ,  5F064CC12 ,  5F064DD25 ,  5F064EE15 ,  5F064HH02 ,  5F064HH06 ,  5F064HH10 ,  5F064HH11 ,  5F064HH15 ,  5F064HH17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM