ECRプラズマエッチング装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992061627
Publication number (International publication number)：1994053170
Application date： Mar. 18, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】ECRプラズマエッチング装置において、均一で高密度な安定したECRプラズマを生成するためにマイクロ波の導入手段や磁場印加手段を最適化することによって異方性エッチング特性の向上を図る。【構成】マイクロ波電源6にはクライストロンを用い、発生したマイクロ波8は導波管5内を輸送され、導波管5は円形テーパー導波管とし、テーパー角が8〜14度に構成されている。ソレノイドコイル3により印加される磁場はエッチング処理する基板15上で電子サイクロトロン共鳴点から±25G以内になるように設定され、その磁場分布は±5%以内、磁場勾配はマイクロ波導入窓4から20G/cm以内に構成されている。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生室内でマイクロ波により発生する電場と、この電場に直交する磁場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラズマ化し、このプラズマを設置された基板に照射して基板をエッチングするECRプラズマエッチング装置において、導入されるマイクロ波の発振源に多空胴クライストロンを用いることを特徴とするECRプラズマエッチング装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 , C23F 4/00 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-217620
特開昭63-289925
特開平2-162719

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