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J-GLOBAL ID：200903032285550232

エピタキシャル基板、エピタキシャル基板の製造方法、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

Inventor： 平井 純 ,  鈴木 政勝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 中島 司朗 ,  松村 修治 ,  小林 国人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006286185
Publication number (International publication number)：2008103605
Application date： Oct. 20, 2006
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

【課題】従来よりもゲッタリング能力を高めることができるエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】シリコンを主成分とするエピタキシャル層105と、エピタキシャル層105の下地であるシリコン基板101とを備え、シリコン基板101は、複数の転位104が層状に分布している転位分布領域101cを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

エピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層の下地である下地基板とを備え、 前記下地基板は、複数の転位が層状に分布している転位分布領域を有すること を特徴とするエピタキシャル基板。

IPC (3)：

H01L 21/322 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L21/322 J ,  H01L21/322 G ,  H01L27/14 A ,  H01L21/205

F-Term (15)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045CA13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 裏面にキャビテーションゲッタリングサイトを有する半導体ウエーハと、当該半導体ウエーハの製造方法と、当該半導体ウエーハによるゲッタリング方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-053465   Applicant：祖山均