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J-GLOBAL ID：200903032291508698

磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法および装置

Inventor： ジエムス・マック・フリテエイジ ,  ムスタファ・ミチャエル・パイナバシ
Applicant, Patent owner： ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
Agent (2)： 小川 勝男 ,  木崎 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004315136
Publication number (International publication number)：2005167214
Application date： Oct. 29, 2004
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】 磁気記憶装置のフリー層において、磁気歪を制御する方法および装置を開示する。【解決手段】 ピン層610,分離層620,フリー層630を有する磁気記憶装置のフリー層に対し,第一層厚t1を有す第一フリー層632と第2層厚t2を有す第2フリー層634を設ける。磁気抵抗比ΔR/Rを変更せずに所望の磁気歪を得るため第一,第2フリー層632,634のターゲット組成物を変更せずに,相対厚さ値を修正することにより,フリー層630の磁気歪を制御する。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

ピン層を形成し、前記ピン層を覆う分離層を形成し、第1層厚を有す第1フリー層を形成し、第2層厚を有す第2フリー層を形成し、所望の磁気歪を実現するように前記第1層厚と第2層厚との比を選択することを特徴とする磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法。

IPC (2)：

H01L43/08 ,  G11B5/39

FI (2)：

H01L43/08 Z ,  G11B5/39

F-Term (3)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気センサ及びそれを使用する磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-026752   Applicant：富士通株式会社
• スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-119283   Applicant：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド
• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265663   Applicant：株式会社東芝