ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 栗宇百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003133513
Publication number (International publication number)：2004004834
Application date： May. 12, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】高感度、高解像力を有し、基板との密着性が良好で、かつパターンのエッジラフネスが改良された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに特定のラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに (B)下記一般式(I-1)〜(I-4)の少なくともいずれかで表される基を有する繰り返し単位、下記一般式(pI)〜(pVI)で表されるアダマンタン構造を含む基のうちの少なくとも1種の基で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位及び下記一般式(III-a)〜(III-d)で示される繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

IPC (4)：

G03F7/039 , C08F220/10 , G03F7/004 , H01L21/027

FI (4)：

G03F7/039 601 , C08F220/10 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R

F-Term (34)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AJ02S , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08S , 4J100AM21S , 4J100BA03Q , 4J100BA04S , 4J100BA05S , 4J100BA08S , 4J100BA11P , 4J100BA12S , 4J100BA15P , 4J100BA20S , 4J100BA28S , 4J100BA55S , 4J100BC26Q , 4J100BC53P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-188853 Applicant：日本電気株式会社

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