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J-GLOBAL ID：200903032354226388

半導体発光素子

Inventor：
田辺 哲弘

About 田辺 哲弘

, 
園部 雅之

About 園部 雅之


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000154461
Publication number (International publication number)：2001332815
Application date： May. 25, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 SiO2などのマスク上に選択成長をさせることにより、転位密度を小さくしながら、広い範囲に亘って平坦性が得られるチッ化物系化合物半導体層を積層し、発光効率の優れたチッ化物系化合物半導体発光素子、とくにしきい電流値を低下させた半導体レーザを提供する。【解決手段】 基板1上に第1のGaN層2が設けられ、その上に開口部3aを有するマスク層3が設けられ、そのマスク層3上に前記開口部3aから横方向に選択成長される第2のGaN層4、さらに、発光層を形成するように積層されるチッ化物系化合物半導体積層部15が設けられている。そして、マスク層3の上面側に凹部3bが形成されている。換言すれば、たとえばマスク層3上面側の凹部3bにより、第2のGaN層4の底面とマスク層3との間にほぼ平行な空隙3cが形成されるように第2のGaN系化合物半導体層4が成長されている。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板上に設けられる第1のチッ化物系化合物半導体層と、該第1のチッ化物系化合物半導体層上に設けられ、開口部を有するマスク層と、該マスク層上に前記開口部から横方向に選択成長される第2のチッ化物系化合物半導体層と、該第2のチッ化物系化合物半導体層上に発光層を形成するようにチッ化物系化合物半導体が積層される半導体積層部とからなり、前記マスク層の上面側に凹部が形成されてなるチッ化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00 C
F-Term (24)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB11 ,  5F041FF13 ,  5F041FF16 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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