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J-GLOBAL ID：200903003243377476

窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 木戸口 勲 ,  石橋 明彦 ,  菅原 岳 ,  辻村 歩 ,  伴 雄三郎 ,  鈴木 政勝 ,  粂 雅博 ,  宮永 良子 ,  森田 清之 ,  長谷川 義晃
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000347669
Publication number (International publication number)：2002009004
Application date： Nov. 15, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ELOG法による結晶性の向上を図り、共振器への光の閉じ込め係数値を大きくできるようにし、また、ミラー損失が少ない共振器端面を形成できるようにし、導波損失が少ない共振器を形成できるようにし、リッジ部形成用のマスクの位置合わせを容易に行なえるようする。【解決手段】 サファイアからなる基板11上に、GaNからなる低温バッファ層を介してELOG用のGaNからなるシード層12を形成し、該シード層12の上部に基板面方向に互いに間隔をおいて延びるストライプ状の凸部12aを形成する。続いて、凸部12a同士に挟まれてなる各凹部12bの底面及び壁面上に窒化シリコンからなるマスク膜13を形成し、その後、シード層12の上に、各凸部12aと接するようにGaNからなる選択成長層14をその下面と溝部12bの底面との間に空隙部12cが設けられるように形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に、Alu Gav Inw N(但し、u,v,wは、0≦u,v,w≦1、u+v+w=1である。)からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、前記第1の窒化物半導体層の上部に、基板面方向に互いに間隔をおいて延びる複数の凸部を形成する工程と、互いに隣接する前記凸部同士に挟まれてなる凹部の底面を覆うマスク膜を形成する工程と、前記第1の窒化物半導体層の上に、前記マスク膜から露出する前記各凸部の頂面であるC面を種結晶として、Alx Gay Inz N(但し、x,y,zは、0≦x,y,z≦1、x+y+z=1である。)からなる第2の窒化物半導体層を成長する工程とを備えていることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343

FI (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343

F-Term (43)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CB02 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DB02 ,  5F045DB06 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-119377   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-049906   Applicant：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物緩衝層を有するIII族窒化物エピタキシャル層の一段ペンデオエピタキシャルオーバーグロース及び一段横方向エピタキシャルオーバーグロース
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-530903   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-553988   Applicant：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-216110   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (5)

• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-119377   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-049906   Applicant：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物緩衝層を有するIII族窒化物エピタキシャル層の一段ペンデオエピタキシャルオーバーグロース及び一段横方向エピタキシャルオーバーグロース
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-530903   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-553988   Applicant：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-216110   Applicant：シャープ株式会社