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J-GLOBAL ID：200903032377876800

発光素子及びその製造方法

Inventor： 林 伸彦 ,  狩野 隆司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999143487
Publication number (International publication number)：2000332295
Application date： May. 24, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 発光層からIn、N等の構成原子の脱離を抑え、しきい値電流が大きくなることを防止した発光素子を提供する。【解決手段】 第1クラッド層6上にInとNを含有する活性層7Bを有する発光層7が形成され、該発光層7上に第2クラッド層8が形成されている半導体レーザにおいて、発光層7は、活性層7B上にBを含有するキャップ層7Cを備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1クラッド層上にInとNを含有する活性層を有する発光層が形成され、該発光層上に第2クラッド層が形成されている発光素子において、前記発光層は、前記活性層上にBを含有するキャップ層を備えることを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677

F-Term (13)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F073AA42 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-228876   Applicant：ソニー株式会社