窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998228876
Publication number (International publication number)：2000058980
Application date： Aug. 13, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる際に、Inの脱離を抑制することで結晶性を向上させ長寿命化、波長揺らぎの安定化を図ることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 Bx Aly Ga1-x-y-z Inz Nを活性層7とし、その下地層に当たる第1の光導波層をn型Bu Alv Ga1-u-v N光導波層6とする。活性層7は、GaInNの成長に用いられる第1の原料(TMG、TMI、NH3 )に、Bを含む第2の原料(TEB)および/またはAlを含む第3の原料(TMA)を混入して成長を行うことにより形成し、光導波層6は、GaNの成長時に、GaNの成長に用いられる第4の原料(TMG、NH3 )に、Bを含む第5の原料(TEB)および/またはAlを含む第6の原料(TMA)を混入して成長を行うことによりSCH構造のGaN系半導体レーザを形成する。

Claim (excerpt)：

Inを含みかつBおよびAlを含まない窒化物系III-V族化合物半導体の成長時に、上記Inを含みかつBおよびAlを含まない窒化物系III-V族化合物半導体の成長に用いられる第1の原料に、Bを含む第2の原料および/またはAlを含む第3の原料を混入して成長を行うようにしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法。

IPC (2)：

H01S 5/30 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

F-Term (13)：

5F041AA04 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F073AA45 , 5F073CA20 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073EA02 , 5F073EA07 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-189730 Applicant：株式会社東芝
p型半導体膜および半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-332199 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子、半導体受光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-009005 Applicant：松下電器産業株式会社

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