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J-GLOBAL ID：200903032388433536

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 松岡 隆志 ,  笹浦 正弘 ,  宮澤 信太郎
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995093429
Publication number (International publication number)：1996288552
Application date： Apr. 19, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 格子不整合を良好とし、InGaAlNの三元組成に格子定数を合わせられ、基板表面を保護して多結晶化を防止する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【構成】 基板1にLaNdGaO3 を用い、基板表面に300°C以上〜1000°C以下の成長温度のバッファ層2を形成したものである。

Claim (excerpt)：

In<SB>1-x-y </SB>Ga<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>N(0≦x≦1、0≦x+y≦1)薄膜を少なくとも一層含む半導体発光素子において、基板にLa<SB>z </SB>Nd<SB>1-z </SB>GaO<SB>3 </SB>(0<z≦1)単結晶を用いることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-328222   Applicant：株式会社ジャパンエナジー
• 特開平2-229475