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J-GLOBAL ID：200903058517789465
窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994328222
Publication number (International publication number)：1996186329
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 希土類3B族ペロブスカイトを基板とし、その基板の{101}面または{011}面上にGaN系半導体結晶のc面を安定して成長させることができるように改良した結晶成長方法を提供し、それによって青色発光材料として好適な良質のGaN系半導体結晶を得る。【構成】 面方位(011)のNdGaO3 (ネオジムガレート)よりなる基板を用い、その基板上に、700°C以下の温度でMOCVD法により形成したGaNや、Rfスパッタ法により形成したZnOやIn2 O3 などよりなるバッファ層を設け、その上にGaN系半導体結晶を成長させる。【効果】 GaN系半導体結晶に比較的良く格子整合し、かつ、熱的及び化学的に安定な希土類3B族ペロブスカイト基板の{101}面または{011}面上にバッファ層を介してGaN系半導体結晶のc面が安定して成長し、青色発光用半導体材料として良好なGaN系半導体結晶が得られる。
Claim (excerpt)：
基板上に窒化ガリウム系半導体結晶を成長させるにあたり、前記基板として希土類3B族ペロブスカイトの{101}面または{011}面を用い、該基板上に予めバッファ層を形成した後、窒化ガリウム系半導体結晶の成長を行なうことを特徴とする窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法。
IPC (8)：
H01S 3/18
, C23C 16/02
, C23C 16/34
, C30B 29/38
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, C23C 14/34
Cited by examiner (6)
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